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本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统 实现碳化硅离子注入的方法 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
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我们可以把mosfet（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构，它们的示意图如图三所示。 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造 原文标题：2022年中国碳化硅行业现状分析，衬底良率增高「图」. 华经产业研究院对碳化硅行业发展现状、行业上下游产业链、竞争格局及重点企业等进行了深入剖析，最大限度 碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良
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碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 碳化硅粉体合成设备主要技 五、国内外碳化硅产业发展现状5.1碳化硅产业发展历程SiC虽然具备较多的性能优点，但是迫于SiC材料易碎，尤其是大尺寸SiC的生产一直是个难题，制备难度相 SiC材料应用研究（三） 五、国内外碳化硅产业发展
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碳化硅（SiC）是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强（约为Si的10倍）、高饱和电子漂移速率（约为Si的2倍）、高热导率（Si的3倍、GaAs的10倍）等
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